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基于銅基的單層氮化硼薄膜（5*2.5cm）

Single layer h-BN （Boron Nitride） film grown in copper foil. h-BN is an insulator with a direct band gap of 5.97 eV. Due to its strong covalent sp2 bonds in the plane, the in-plane mechanical strength

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更新日期：2024-06-03

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基于285nm二氧化硅基底的單層氮化硼薄膜

Single Layer CVD hexagonal Boron Nitride Film on 285 nm SiO2/Si substrates （p-doped）, 1cmx1cm: 8 pack Properties of BN film 97% coverage with minor holes and organic residues High Crystalline Quality

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基于銅基的多層氮化硼薄膜（52.5cm）

Specifications: Close to complete coverage （90-95%）, with some minor holes Average Thickness of BN film is 13 nm Thickness of the copper foil is 20 microns Quality is confirmed by TEM.

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CVD六方氮化硼薄膜（基底可選）

單層、雙層、多層等需求定制；尺寸：1*1cm 基底：石英基底/PET基底/藍(lán)寶石基底/Sio2/Si 單層、雙層、多層等需求定制；尺寸：1*1cm 基底：石英基底/PET基底/藍(lán)寶石基底/Sio2/Si

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六方氮化硼晶體（20片裝）

六方氮化硼晶體（20片裝） hBN（Hexagonal Boron Nitride）-Crystal 晶體尺寸：~1mm 電學(xué)性能：絕緣體/半導(dǎo)體晶體結(jié)構(gòu)：六邊形晶胞參數(shù)：a = b = 0.2502 nm, c = 0.6617 nm, α = β = 90°, γ = 120° 晶體類型：合成晶體純度：*

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Monolayer h-BN Solution 單層氮化硼溶液

This product contains h-BN mono- and few-layer flakes solution in ethanol.

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